功率放大器種類繁多，使用場(chǎng)合，工作頻段各不相同?？梢园凑站€性功率放大器和非線性功率放大器進(jìn)行分類。其中線性功率放大器包括:A類(甲類)，B類（乙類)，AB類(甲乙類)，這三類功率放大器主要差別為靜態(tài)工作點(diǎn)的不同設(shè)置;非線性功率放大器包括:C類，D類，B類，F(xiàn)類，D、B、F類又被稱為開(kāi)關(guān)模式功率放大器，A、B、AB、C類屬于傳統(tǒng)類型功率放大器。
功率放大器的設(shè)計(jì)考慮因素：
選擇如何開(kāi)始設(shè)計(jì)以優(yōu)化功率、效率及帶寬時(shí)，IC設(shè)計(jì)師可以使用不同拓?fù)浼霸O(shè)計(jì)考慮因素。常見(jiàn)的單塊放大器設(shè)計(jì)類型就是一種多級(jí)、共源、基于晶體管的設(shè)計(jì)，也稱作級(jí)聯(lián)放大器設(shè)計(jì)。這里，增益放大器會(huì)從每一級(jí)增加，從而實(shí)現(xiàn)高增益，并允許我們?cè)黾虞敵鼍w管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槲覀兡軌虼蠓?jiǎn)化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸。
因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向GaN設(shè)備的一個(gè)不太明顯的優(yōu)勢(shì)就是，能夠?qū)崿F(xiàn)給定RF功率水平，可能是4W。晶體管尺寸將會(huì)更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的每級(jí)增益。這將帶來(lái)更少的設(shè)計(jì)級(jí)，實(shí)現(xiàn)更高效率。
這些級(jí)聯(lián)放大器技術(shù)的挑戰(zhàn)在于，在不顯著降低功率和效率，甚至在不借助GaN技術(shù)的情況下，很難實(shí)現(xiàn)倍頻程帶寬。
